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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263263A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种光电传感器及其形成方法，光电传感器包括：基底，基底包括感光像素区，感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区，像素单元区的基底上形成有栅极结构；第一型掺杂区，位于像素单元区中栅极结构一侧的基底中；第二型掺杂区，位于感光像素区顶部的基底中，第二型掺杂区包括延伸覆盖感光像素区的覆盖部、以及位于第一型掺杂区中且凸于覆盖部的凸立部，第二型掺杂区与第一型掺杂区的掺杂类型不同。本发明有利于提高光电传感器的满阱容量，改善图像传感器信噪比和动态范围，提高成像质量。
主权项：1.一种光电传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括感光像素区，所述感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区，所述像素单元区的基底上形成有栅极结构；第一型掺杂区，位于所述像素单元区中所述栅极结构一侧的基底中；第二型掺杂区，位于所述感光像素区顶部的基底中，所述第二型掺杂区包括延伸覆盖所述感光像素区的覆盖部、以及位于所述第一型掺杂区中且凸于所述覆盖部的凸立部，所述第二型掺杂区与第一型掺杂区的掺杂类型不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光电传感器及其形成方法
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