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申请/专利权人：北京光智元科技有限公司
申请日：2024-04-25
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263354A
主分类号：H01L31/105
分类号：H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明的实施例公开了一种光电探测器及光电探测器的制造方法、芯片，其中，上述光电探测器的制造方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一硅层，利用所述第一硅层形成第一导电类型区；在所述第一硅层上生长第一锗层，利用所述第一锗层形成本征区；在所述第一锗层和所述第一硅层上生长第二硅层，利用所述第二硅层形成第二导电类型区。优化了光电探测器的性能，此外，提出了垂直型的SiGeSi结构光电探测器，优化了光电探测器的电接触，进而优化了光电探测器的性能。此外，通过设置锗层的合适厚度、宽度，优化了光电探测器的带宽及响应度。
主权项：1.一种光电探测器的制造方法，其特征在于，所述光电探测器包括第一导电类型区，本征区和第二导电类型区，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一硅层，利用所述第一硅层形成第一导电类型区；在所述第一硅层上生长第一锗层，利用所述第一锗层形成本征区；在所述第一锗层和所述第一硅层上生长第二硅层，利用所述第二硅层形成第二导电类型区；其中，所述本征区的厚度小于等于80nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京光智元科技有限公司 光电探测器及光电探测器的制造方法、芯片
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