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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日：2024-04-25
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248797A
主分类号：H01L33/02
分类号：H01L33/02;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种发光二极管，包括衬底、外延层、第一电极和第二电极，衬底的第一表面及上方分成第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的边缘，外延层包括由上至下依次设置于衬底的第一表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极电性连接第二半导体层，第二电极电性连接第一半导体层。第二半导体层及发光层位于第一区域中，第一半导体层位于第一区域并延伸至第二区域中，增大了外延层的面积，可以减小发光二极管的电流密度以缓解发光效率降低问题，外延层位于第二区域中的部分不发光，不会对发光二极管的光形等光学性能产生不良影响。相应的，本发明还提供了一种发光二极管的制备方法。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面及上方分成第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域的边缘；外延层，包括由上至下依次设置于所述衬底的第一表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层及所述发光层位于所述第一区域中，所述第一半导体层位于所述第一区域中并延伸至所述第二区域中；第一电极，电性连接所述第二半导体层；以及，第二电极，电性连接所述第一半导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管及其制备方法
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