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发光二极管电流导流装置 

申请/专利权人:台亚半导体股份有限公司

申请日:2023-09-08

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118248801A

主分类号:H01L33/14

分类号:H01L33/14;H01L33/44

优先权:["20221225 TW 111149854"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明提供一种发光二极管电流导流装置,用于增强发光二极管出光效率并提高电流导流,所述发光二极管电流导流装置包括:接触电极;基板,连接接触电极;第一电极,连接基板;第一半导体层,与第一电极进行电性连接;发光层,电性连接第一半导体层;第二半导体层,电性连接发光层;第二电极,具有主电极和多个延伸电极;电流导流层,设置在第二半导体层的一侧与第二电极的一侧之间,电流导流层具有主半导体层和蚀刻层,蚀刻层以第二电极作为图样基准进行蚀刻,其通过蚀刻提高电阻使电流朝向主半导体层的方向行进以达到导流的功效。

主权项:1.一种发光二极管电流导流装置,用于增强发光二极管出光效率并提升电流导流,所述发光二极管电流导流装置包括:接触电极;基板,连接所述接触电极;第一电极,连接所述基板;第一半导体层,与所述第一电极进行电性连接;发光层,电性连接所述第一半导体层;第二半导体层,电性连接所述发光层;第二电极,具有主电极和多个延伸电极;以及电流导流层,设置在所述第二半导体层的一侧与所述第二电极的一侧之间,所述电流导流层具有主半导体层和蚀刻层,所述蚀刻层以所述第二电极作为图样基准进行蚀刻,通过蚀刻提高电阻使电流朝向所述主半导体层的方向行进以达到导流的功效。

全文数据:

权利要求:

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