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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118259124A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26;G01R31/52
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种漏电流测试方法、装置及系统，涉及半导体器件技术领域。漏电流测试方法，包括：获取待测试半导体器件的击穿电压值；将击穿电压值乘以第一预设值，得到测试电压值，第一预设值根据击穿电压测试曲线正常的半导体器件的击穿电压值，与击穿电压测试曲线异常的半导体器件的击穿电压值的比值确定；根据测试电压值对待测试半导体器件进行漏电流测试，得到漏电流测试值；根据漏电流测试值，确定待测试半导体器件的漏电流性能是否正常。根据本申请实施例，能够筛选出由于自身漏电导致可能存在失效风险的半导体器件。
主权项：1.一种漏电流测试方法，其特征在于，包括：获取待测试半导体器件的击穿电压值；将所述击穿电压值乘以第一预设值，得到测试电压值，第一预设值根据击穿电压测试曲线正常的半导体器件的击穿电压值，与击穿电压测试曲线异常的半导体器件的击穿电压值的比值确定；根据所述测试电压值对所述待测试半导体器件进行漏电流测试，得到漏电流测试值；根据所述漏电流测试值，确定所述待测试半导体器件的漏电流性能是否正常。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 漏电流测试方法、装置及系统
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