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申请/专利权人：浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司
申请日：2022-04-15
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN116131833B
主分类号：H03K17/22
分类号：H03K17/22;H03K17/74;H03K17/78
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开
摘要：本发明公开了一种雪崩二极管控制电路，包括：像元组，其包括至少两个带有倍增功能的像元，所述像元为APD或SPAD；信号检出电路，其耦接所述像元组，被配置为检测所述像元组产生的电信号；至少一个复位淬灭电路，其耦接所述像元组或像元组中的像元，被配置为对像元进行复位和或淬灭；第一使能电路，其对应所述像元组中的单个或多个像元设置，用于基于使能信号控制像元与信号检出电路之间的电气连接状态。本发明的雪崩二极管控制电路，通过在雪崩二极管和复位电路及信号检出电路之间引入使能电路以实现分时复用，进而节约了芯片面积，提高了集成度。
主权项：1.一种雪崩二极管控制电路，其特征在于，包括：像元组，其包括p行q列的像元阵列，p≥2，q≥2，所述像元为带有倍增功能的APD或SPAD；信号检出电路，其耦接所述像元组，被配置为检测所述像元组产生的电信号，所述信号检出电路设置为m个，1≤m≤p；每个信号检出电路对应所述像元阵列中的一行像元；所述信号检出电路还被配置为接收对应其它行像元的信号检出电路产生的输入中续信号，并基于所述输入中续信号和检测到的本地电信号产生输出中续信号；至少一个复位淬灭电路，其耦接所述像元组或像元组中的像元，被配置为对像元进行复位和或淬灭；第一使能电路，其对应所述像元组中的单个或多个像元设置，用于基于使能信号控制像元与信号检出电路之间的电气连接状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司 雪崩二极管控制电路
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