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申请/专利权人：深圳市德博微电子有限公司
申请日：2023-10-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221201159U
主分类号：H01L23/495
分类号：H01L23/495;H01L23/367
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本实用新型公开了一种TVS二极管结构，涉及二极管技术领域，包括封装外壳，封装外壳的内底部安装有下扁铜环，且下扁铜环的下部延伸至封装外壳外部，下扁铜环的下部表面涂布有第一石墨烯涂层，下扁铜环的顶部安装有引线框架，该TVS二极管结构，在装有芯片的引线框架底部贴合有下扁铜环，其下半部分位于外壳底部，而在芯片的上表面贴合有上扁铜环，其上半部分位于外壳顶部，当二极管内部产生热量时，扁铜环与芯片之间的接触面积越大，热量的传导效率就越高，通过基材的传导作用，能够快速地将内部的热量传递到外面，且涂布的石墨烯涂层可以以红外辐射的形式快速带走基材表面的热量，提高热交换效果，有助于热量的散发。
主权项：1.一种TVS二极管结构，包括封装外壳1，其特征在于：所述封装外壳1的内底部安装有下扁铜环2，且下扁铜环2的下部延伸至封装外壳1外部，所述下扁铜环2的下部表面涂布有第一石墨烯涂层3，所述下扁铜环2的顶部安装有引线框架4，所述引线框架4上设有引脚5，且引脚5位于引线框架4的四周，所述引线框架4上设有芯片焊盘6，且芯片焊盘6上安装有二极管芯片7，所述封装外壳1的内顶部安装有上扁铜环8，且上扁铜环8的上部延伸至封装外壳1外部，所述上扁铜环8的上部表面涂布有第二石墨烯涂层9，所述上扁铜环8的底部与二极管芯片7相贴合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市德博微电子有限公司 一种TVS二极管结构
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