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申请/专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日：2019-12-18
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113302753B
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/00;H01L33/24
优先权：["20181220 DE 102018133123.1"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开
摘要：一种光电子半导体器件10具有有源区120，所述有源区包含用于构成量子阱结构的子层111、112、113。在此，在量子阱结构之内的能量级差在光电子半导体器件10的中央区域14中比在光电子半导体器件10的边缘区域15中更小。根据其他实施方式，光电子半导体器件10具有有源区120，所述有源区包含适合于构成量子阱结构的子层。在此，在有源区120中在光电子半导体器件的中央区域14中构成量子点结构122。在光电子半导体器件10的边缘区域15中不构成量子点结构。
主权项：1.一种光电子半导体器件10，所述光电子半导体器件具有：生长衬底100，所述生长衬底的第一主表面104具有水平区域106和倾斜侧面108，其中所述水平区域106构成所述光电子半导体器件10的中央区域14并且所述倾斜侧面108构成所述光电子半导体器件10的边缘区域15，在所述第一主表面104之上的半导体层结构，所述半导体层结构包含用于制造有源区120的子层111、112、113，所述有源区具有量子阱结构，其中所述半导体层结构在所述倾斜侧面108的区域中具有比在所述水平区域中更小的层厚度，其中在所述量子阱结构之内的能量级差在所述光电子半导体器件10的中央区域14中比在所述光电子半导体器件10的边缘区域15中更小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体器件及其制造方法
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