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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日：2024-05-06
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241173A
主分类号：C23C14/35
分类号：C23C14/35;C23C14/06;C23C16/18;C23C14/58
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种AlN模板及其制备方法。本发明的AlN模板的制备方法，通过采用MOCVD法制备得到碳杂质含量更高的第二AlN层，其中的碳杂质会占据更多的铝空位VAl，并形成碳占VAlCAl点缺陷；由于VAl点缺陷被CAl取代，会阻止热退火过程中氧杂质在MOCVD制备的AlN层中形成能量更低更稳定的VAl与氧占氮空位ON点缺陷的络合物VAl‑ON，从而抑制热退火过程中氧杂质点缺陷从蓝宝石衬底向上层AlN层扩散的过程，进而AlN模板中的氧杂质点缺陷浓度明显降低，从而减少氧杂质向后续的外延结构中扩散，这对提高后续外延AlGaN材料质量，提高AlGaN基器件性具有重大意义。
主权项：1.一种AlN模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；采用磁控溅射法在衬底上制备得到第一AlN层；采用MOCVD法在第一AlN层上制备得到第二AlN层；采用磁控溅射法在第二AlN层上制备得到第三AlN层；其中，所述第二AlN层中碳杂质浓度高于第一AlN层和第三AlN层中碳杂质浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种AlN模板及其制备方法
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