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申请/专利权人：山东大学
申请日：2024-05-17
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197921A
主分类号：H01L21/335
分类号：H01L21/335;H01L21/28;H01L29/778
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明属于半导体器件领域，具体涉及具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法。在SiC衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和AlN帽层，形成薄膜结构；对薄膜结构进行台面刻蚀，刻蚀深度截止到GaN缓冲层，在GaN缓冲层表面形成台面；在台面上进行源电极和漏电极图案的光刻显影，生长源电极和漏电极并退火；使用氟基气体对AlN帽层进行氟基等离子体处理；在AlN帽层上制备栅电极；在器件表面生长SiO2钝化层，并对电极区域进行刻蚀开孔。氟基气体处理降低了栅电极漏电流从而降低了器件关态电流，提高了开关选择比、击穿电压、热稳定性和抗氧化性。
主权项：1.一种具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在SiC衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和AlN帽层，形成薄膜结构；S2、对薄膜结构进行台面刻蚀，刻蚀深度截止到GaN缓冲层，在GaN缓冲层表面形成台面；S3、在台面上进行源电极和漏电极图案的光刻显影，生长源电极和漏电极并退火；S4、使用氟基气体对AlN帽层进行氟基等离子体处理；S5、在经过氟基等离子体处理的AlN帽层上制备栅电极；S6、在制备好栅电极的器件表面生长SiO2钝化层，并对电极区域进行刻蚀开孔，得到具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法
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