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【实用新型】一种PVT法生长AlN单晶的籽晶固定装置_山东大学_202323028592.1 

申请/专利权人:山东大学

申请日:2023-11-09

公开(公告)日:2024-05-24

公开(公告)号:CN220999948U

主分类号:C30B23/00

分类号:C30B23/00;C30B29/40

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.24#授权

摘要:本实用新型提供了一种PVT生长AlN单晶的籽晶固定装置,包括同心设置的籽晶托、上环板和下环板;所述籽晶托下表面粘接籽晶;所述上环板和下环板分别夹持在所述籽晶托边部上下两侧,所述下环板的上表面与所述上环板的下表面相贴合;所述上环板和下环板的内周分别设置有多个与籽晶边部相适配的环形凹台。所述籽晶固定装置呈同心圆状,易加工;不仅能够有效地防止籽晶掉落,同时固定籽晶位置,保证籽晶位置不偏移或波动,还能抑制钨件在升温过程中导致的热变形,从而有效卸去籽晶托在升温过程中产生的热应力,防止籽晶的开裂。

主权项:1.一种PVT法生长AlN单晶的籽晶固定装置,其特征在于,包括同心设置的籽晶托、上环板和下环板;所述上环板和下环板的外径均与坩埚内径相同;所述籽晶托下表面粘接籽晶;所述上环板和下环板分别夹持在所述籽晶托边部上下两侧,所述籽晶托边部沿周向设置有环状凸缘;所述下环板的上表面与所述上环板的下表面相贴合;所述下环板内周沿轴向由下向上依次设置有多个外径递增的环形凹台,所述多个外径递增的环形凹台分别容纳籽晶边部、籽晶托下边部和环状凸缘下边部;最底部的环形凹台的高度大于籽晶厚度、外径大于籽晶外径,内径小于籽晶外径;所述上环板的内周沿轴向由下向上依次设置有多个外径递减的环形凹台,所述多个外径递减的环形凹台分别与环状凸缘上边部、籽晶托上边部相适配。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东大学 一种PVT法生长AlN单晶的籽晶固定装置

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