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申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263293A
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L29/786;H01L29/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种具有浮空场板结构的氧化镓MOSFET器件及其制作方法，包括浮空复合场板，形成为沿沟道长度的平行方向排布的多个场板区段，浮空复合场板插置于场介质层中以使场介质层包围浮空复合场板的侧壁和底部。本发明利用浮空复合场板，在源漏极之间施加反向电压时，由于电荷感应，相邻的场板区段会感应出静电荷，于场板区段之间产生矮化的峰值电场，极大地分散了电场集中效应，可以显著提升器件的击穿电压，本发明的器件具有电流崩塌抑制能力强，频率特性好的特点。
主权项：1.一种具有浮空场板结构的氧化镓MOSFET器件，其特征在于，包括：半绝缘衬底；沟道层，设置于所述半绝缘衬底之上；栅介质层、第一钝化层和场介质层依次层叠设置于所述沟道层上；栅电极，位于所述栅介质层上，所述栅电极设置成嵌入所述第一钝化层之中；浮空复合场板，形成为沿沟道长度的平行方向排布的多个场板区段，所述浮空复合场板插置于所述场介质层中以使所述场介质层包围所述浮空复合场板的侧壁和底部；金属源极和金属漏极，设置于所述栅介质层的两端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华润微电子(重庆)有限公司 具有浮空场板结构的氧化镓MOSFET器件及其制作方法
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