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申请/专利权人：深圳大学
申请日：2024-02-21
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263248A
主分类号：H01L27/085
分类号：H01L27/085;H01L27/02;H01L23/528;H01L29/06;H01L21/8252
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种立体氮化镓基高集成HEMT及其制备方法，通过在立体衬底上集成多个HEMT器件，并通过互联介质层内的互联金属实现各器件之间的互联，制备出了高集成的氮化镓基HEMT器件，是HEMT具有更高的功率以及更低的功耗。相关技术中通常在平面衬底的单面上制备HEMT器件，相比于平面的衬底，立体衬底有利于HEMT更好地散热，确保了HEMT器件在高功率、高频率的前提下具有优异的散热功能，提升了HEMT在高温环境下的可靠性，提高了器件的性能和工作寿命。
主权项：1.立体氮化镓基高集成HEMT，其特征在于，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各所述器件区域上的若干器件、覆盖所述器件表面以及所述立体衬底的非器件区域的互联介质层；各所述器件包括第一介质层、GaN层、势垒层、p-GaN层、绝缘介电层、栅极、源极以及漏极；所述第一介质层设置于所述立体衬底的表面，所述GaN层设置于所述第一介质层背离所述立体衬底一侧的表面，所述势垒层、所述源极、所述漏极间隔设置于所述GaN层上背离所述第一介质层一侧的表面，所述p-GaN层设置于所述势垒层背离所述GaN层一侧的表面，所述栅极设置于所述p-GaN层背离所述势垒层一侧的表面；所述绝缘介电层覆盖所述器件上除所述栅极、所述源极和所述漏极之外的表面；所述互联介质层固定有若干互联金属，所述器件之间对应的所述源极通过部分所述互联金属连接，所述器件之间对应的所述漏极通过另一部分所述互联金属连接，所述器件之间对应的所述栅极之间通过所述互联金属连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 立体氮化镓基高集成HEMT及其制备方法
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