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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263308A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/49
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种具有凹槽型p‑GaN和MIS结构的混合栅极HEMT及其制备方法，包括：衬底、异质结结构、源极、漏极、凹槽型p‑GaN帽层、绝缘介质层和栅极，其中，异质结结构设置在衬底上；异质结结构包括至少一层异质结层，且多个异质结层层叠设置；源极位于异质结结构表面的一端，漏极位于异质结结构表面的另一端；凹槽型p‑GaN帽层位于源极和漏极之间的异质结结构上；凹槽型p‑GaN帽层中设置有至少一个凹槽；绝缘介质层覆盖凹槽型p‑GaN帽层的表面和异质结结构的表面，且在槽顶区域形成开孔区域；栅极覆盖在凹槽型p‑GaN帽层上的绝缘介质层表面，且位于开孔区域的凹槽型p‑GaN帽层上，栅极与凹槽型p‑GaN帽层形成肖特基接触。本发明实现了低栅极漏电和高输出特性的增强型p‑GaNHEMT器件。
主权项：1.一种具有凹槽型p-GaN和MIS结构的混合栅极HEMT，其特征在于，包括：衬底101、异质结结构、源极105、漏极106、凹槽型p-GaN帽层107、绝缘介质层108和栅极109，其中，所述异质结结构设置在所述衬底101上；所述异质结结构包括至少一层异质结层，且多个所述异质结层层叠设置；所述源极105位于所述异质结结构表面的一端，所述漏极106位于所述异质结结构表面的另一端；所述凹槽型p-GaN帽层107位于所述源极105和所述漏极106之间的所述异质结结构上；所述凹槽型p-GaN帽层107中设置有至少一个凹槽且所述凹槽侧壁的p-GaN帽层表面区域形成槽顶区域；所述绝缘介质层108覆盖所述凹槽型p-GaN帽层107的表面和所述异质结结构的表面，且在所述槽顶区域形成开孔区域；所述栅极109覆盖在所述凹槽型p-GaN帽层107上的绝缘介质层108表面，且位于所述开孔区域的凹槽型p-GaN帽层107上，所述栅极109与所述凹槽型p-GaN帽层107形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种具有凹槽型p-GaN和MIS结构的混合栅极HEMT及其制备方法
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