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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-02-05
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198122A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/207
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供了一种具有阶梯型帽层和MIS结构的p‑GaNHEMT器件及其制备方法，包括在器件的AlGaN势垒层上生成掺杂Mg浓度渐变的渐变p‑GaN层，再刻蚀形成阶梯型p‑GaN帽层，该阶梯型p‑GaN帽层内部Mg浓度沿源端向漏端递增，使得越薄的区域掺杂浓度越高，避免p‑GaN厚度减小对阈值电压的影响，有助于提高栅击穿电压。本发明还在栅金属与p‑GaN帽层之间引入与阶梯型p‑GaN帽层互补的变介电常数的介质层，较薄的区域采用介电常数更高的介质，调控栅极下方耗尽层，削弱电场拐角效应，提高关态击穿电压，同时利用介质层的绝缘特性抑制栅极电流的泄漏路径，减小了栅极的正向泄漏电流，从而增大栅极击穿电压。
主权项：1.一种具有阶梯型帽层和MIS结构的p-GaNHEMT器件，其特征在于，自下而上依次是衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层的栅极区域设置有阶梯型p-GaN帽层，介质层与阶梯型p-GaN帽层形成互补结构，在AlGaN势垒层边缘两侧设置有源极和漏极，整个器件上方淀积有钝化层，在所述互补结构上设置有栅极；所述阶梯型p-GaN帽层内掺杂有Mg离子，且浓度渐变；所述介质层的介电常数渐变。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 具有阶梯型帽层和MIS结构的p-GaN HEMT器件及其制备方法
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