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申请/专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231489A
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0288;H01L31/068;H01L31/18;H01L21/268;H01L21/324
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种p型TOPCon电池，包括P型单晶硅片，所述P型单晶硅片正面从内到外依次设置掺杂内扩层、场钝化层、正面减反射层、正面金属电极；所述P型晶硅片背面从内到外依次设置隧穿氧化层、梯度掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；所述正面金属电极穿透所述正面减反射层、场钝化层与所述掺杂内扩层形成欧姆接触；所述背面金属电极穿透所述背面减反射层与所述梯度掺杂多晶硅层形成欧姆接触；所述梯度掺杂多晶硅层沿着远离所述P型单晶硅片方向依次设置第一掺杂多晶硅层、氧化层和第二掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层的厚度、掺杂浓度均小于第二掺杂多晶硅层的厚度、掺杂浓度。本发明设置了掺杂多晶层中间氧化层，提高电池转化效率。
主权项：1.一种p型TOPCon电池，其特征在于，包括P型单晶硅片，所述P型单晶硅片正面从内到外依次设置有掺杂内扩层、场钝化层、正面减反射层、正面金属电极；所述P型晶硅片背面从内到外依次设置有隧穿氧化层、梯度掺杂多晶硅层、背面减反射层和背面金属电极；所述正面金属电极穿透所述正面减反射层、场钝化层与所述掺杂内扩层形成欧姆接触；所述背面金属电极穿透所述背面减反射层与所述梯度掺杂多晶硅层形成欧姆接触；所述梯度掺杂多晶硅层沿着远离所述P型单晶硅片方向依次设置有第一掺杂多晶硅层、氧化层和第二掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层的厚度、掺杂浓度均小于第二掺杂多晶硅层的厚度、掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 滁州捷泰新能源科技有限公司 一种p型TOPCon电池及其制备方法
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