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申请/专利权人：英利能源发展有限公司
申请日：2024-05-23
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231529A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/068
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种SE‑TOPCon电池及其制备方法。本发明在硼扩后采用掩膜将金属化区的富硼层进行掩盖后，进行后续的隧穿氧化层和多晶硅层的制备和磷扩散掺杂原位扩散掺杂，然后经过清洗去除掩膜和非掩膜区的BSG层和富硼层，保留掩膜下的富硼层，将该富硼层作为重掺区，不但可以省去激光推进工序，且硼扩工序形成的富硼层的厚度较薄，可制成较浅的PN结，结深浅，有利于短波吸收，提高短路电流，进而提升电池效率。本发明提供的SE‑TOPCon电池的制备方法简便，无需昂贵的激光设备，设备投入低，能够有效降低电池的生产成本，并提高电池的生产效率，对于推进高效太阳电池制备技术的发展具有重要意义。
主权项：1.一种SE-TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，对硅片进行制绒，对制绒后的硅片进行硼扩散，硼扩散后方块电阻为230ΩSq-550ΩSq；S2，在硼扩后的硅片正面的金属化区制备掩膜；每一掩膜的宽度与金属化区栅线的宽度相同；S3，掩膜制备结束后，将硅片进行清洗去除硅片背面和边缘的BSG层，然后进行隧穿氧化层和多晶硅层的制备；S4，对多晶硅层进行磷扩散掺杂或原位掺杂；S5，将掺杂后的硅片先进行正面PSG层的清洗去除，然后进行正面绕镀多晶硅的清洗去除，最后进行上述掩膜、正面BSG层和背面PSG层的清洗去除；S6，在清洗后的硅片正背面制备钝化层，印刷烧结，得SE-TOPCon电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英利能源发展有限公司 一种SE-TOPCon电池及其制备方法
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