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申请/专利权人：英利能源发展有限公司
申请日：2024-05-06
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231528A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/068
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开一种SE‑TOPCon电池及其制备方法。本发明在高温硼扩后，采用激光在金属电极区域进行重掺杂工艺，在非金属电极区域进行轻掺杂工艺，实现硅片正面的硼原子的分区掺杂；并且，配合调整高温磷扩散工艺，使在该步骤在完成硅片背面磷掺杂的同时，实现硅片正面硼原子的再分布；通过上述工艺调整，省去了传统工艺的高温退火工序，节省了设备成本、人工成本和材料成本，且通过控制激光推进工艺和磷扩散工艺的参数，避免了省去高温退火工序对电池性能的不利影响，保证了电池性能。本发明提供的SE‑TOPCon电池的制备方法简便、操作方便，能够有效降低生产成本，提高电池的生产效率，推进高效太阳电池制备技术的发展具有重要意义。
主权项：1.一种SE-TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，对硅片进行制绒，对制绒后的硅片进行硼扩散；S2，采用激光在硼扩后的硅片的金属电极区域进行重掺杂，在非金属电极区域进行轻掺杂；其中，所述重掺杂的B原子的表面浓度≥4.0E+19atomscm3，掺杂深度≥1.6μm；所述轻掺杂的B原子的表面浓度＜4.0E+19atomscm3，掺杂深度≤1.2μm；S3，将激光掺杂后的硅片进行清洗后，进行隧穿氧化层和多晶硅层的制备；S4，对多晶硅层进行磷扩散掺杂；其中，所述磷扩散的温度为870℃-960℃，氧气的流量为50sccm-300sccm，三氯氧磷的流量为50sccm-180sccm；S5，将磷扩后的硅片进行清洗，在硅片的正背面制备钝化层，金属化，得SE-TOPCon电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英利能源发展有限公司 一种SE-TOPCon电池及其制备方法
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