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申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法，属于TOPCon电池领域，包括硅基体，其正面由内到外依次是p+发射极、氧化铝介质层、正面减反射层和正面导电金属电极；其背面由内而外依次是超薄隧穿氧化层、背面掺杂多晶硅层、氧化介质层、背面减反射层和背面导电金属电极。本发明的有益效果是：在掺杂多晶硅层和背面减反射层之间引入一层无机氧化层，对掺杂多晶硅层起到场钝化效果，且通过激光开槽形成局部接触，可进一步将磷或硼掺入多晶硅层，提升钝化效果，且氧化层可降低多晶硅薄膜表面少子复合；同时可将掺杂多晶硅层的厚度降低，有利于电流的提升。
主权项：1.一种TOPCon电池结构，其特征在于，包括硅基体，其正面由内到外依次是p+发射极、氧化铝介质层、正面减反射层和正面导电金属电极；其背面由内而外依次是超薄隧穿氧化层、背面掺杂多晶硅层、氧化介质层、背面减反射层和背面导电金属电极；所述背面导电金属电极穿透所述背面减反射层并与所述氧化介质层相接触；所述正面导电金属电极穿透所述正面减反射层、氧化铝介质层并与所述p+发射极相接触；所述硅基体为N型硅基体，所述背面掺杂多晶硅层为磷掺杂多晶硅，且所述氧化介质层为氧化磷介质层；所述硅基体还可以为P型硅基体，所述背面掺杂多晶硅层为硼掺杂多晶硅，且所述氧化介质层为氧化硼介质层；所述氧化介质层的表面金属接触区域有激光蚀刻而成的槽口；所述背面掺杂多晶硅层的厚度为30-90nm，所述氧化介质层的厚度在20-50nm，且所述背面掺杂多晶硅层和所述氧化介质层的厚度之和不低于60nm；所述正面减反射层的厚度为70-120nm，综合折射率为1.9-2.1，且朝远离所述硅基体方向，膜层折射率依次降低；所述背面减反射层的厚度为70-120nm，综合折射率为1.9-2.1，且朝远离所述硅基体方向，膜层折射率依次降低。
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