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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本发明提供了一种N型TOPCon电池的制备方法及电池，通过设置梯度变温退火法，在高温推进磷扩散稳定后，通过梯度降温方式，再将金属杂质从硅中析出，穿透隧穿SiOx层，到达poly‑Si层高磷浓度区，避免对隧穿SiOx层造成破坏，即使有部分金属杂质汇聚在隧穿SiOx层附近，这时相对较高的磷浓度也会减小缺陷复合，提高少子寿命，最终提高电池的转换效率。
主权项：1.一种N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：1在N型硅片表面沉积隧穿SiOx层；2在隧穿SiOx层表面沉积掺磷非晶硅层；3对步骤2得到的结构进行退火；4对步骤3得到的结构进行退火梯度降温；其中，所述隧穿SiOx层中Si4+的含量为20％～30％，所述掺磷多晶硅层中磷浓度为3.0×1020～6.0×1020cm-3。
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百度查询： 天合光能股份有限公司 N型TOPCon电池的制备方法及电池
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