申请/专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司

申请日：2024-04-22

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118231525A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/068

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本申请公开一种双面TOPCon电池及其制备方法，制备方法：硅基底抛光；双面沉积第一隧穿氧化层和第一多晶硅层；硼扩形成P型多晶硅层和背面BSG；去正面BSG，正面制绒，去正面第一多晶硅层和第一隧穿氧化层；在双面沉积第二隧穿氧化层、底层多晶硅层、第三隧穿氧化层和顶层多晶硅层；磷扩形成顶、底层N型多晶硅层、正面PSG；去背面PSG和背顶层N型多晶硅层；激光去非印刷区正面PSG；去背面第三隧穿氧化层、背面底层N型多晶硅层、非印刷区正面顶层N型多晶硅层、印刷区正面PSG、背面第二隧穿氧化层和背面BSG；沉积氧化铝膜、背面钝化膜、正面钝化膜；丝网印刷、烧结和分选。本申请制备的电池输出效率高且生产成本低。

主权项：1.一种双面TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对N型硅基底进行双面抛光；步骤S2：在完成双面抛光的N型硅基底的正面和背面分别依次沉积第一隧穿氧化层和第一多晶硅层；步骤S3：对完成沉积工艺的N型硅基底的背面所述第一多晶硅层进行硼扩散，形成P型多晶硅层，并在所述P型多晶硅层表面形成背面BSG层；步骤S4：去除完成硼扩散的N型硅基底上绕镀的正面BSG层，对N型硅基底进行正面制绒，并去除N型硅基底上的正面所述第一多晶硅层和正面所述第一隧穿氧化层；步骤S5：在完成制绒工艺的N型硅基底的正面和背面分别依次沉积第二隧穿氧化层、底层多晶硅层、第三隧穿氧化层和顶层多晶硅层；步骤S6：对完成沉积工艺的N型硅基底进行磷扩散，形成顶层N型多晶硅层和底层N型多晶硅层，并在正面所述顶层N型多晶硅层表面形成正面PSG层；步骤S7：去除完成磷扩散的N型硅基底上绕镀的背面PSG层和背面所述顶层N型多晶硅层；步骤S8：对N型硅基底的正面进行激光开槽，去除非电极印刷区的正面PSG层；步骤S9：去除激光开槽后的N型硅基底的背面所述第三隧穿氧化层、背面所述底层N型多晶硅层、非电极印刷区的正面所述顶层N型多晶硅层，并去除N型硅基底上电极印刷区的正面PSG层、背面所述第二隧穿氧化层和背面BSG层；步骤S10：在N型硅基底的所述P型多晶硅层表面依次沉积氧化铝膜和背面钝化膜；步骤S11：在完成沉积工艺的N型硅基底的正面沉积正面钝化膜；步骤S12：对完成沉积工艺的N型硅基底进行丝网印刷、烧结和测试分选。

全文数据：

权利要求：

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