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申请/专利权人：京瓷AVX元器件公司
申请日：2022-10-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118202461A
主分类号：H01L27/06
分类号：H01L27/06;H01L29/94;H01L29/66
优先权：["20211101 US 63/274,102"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要：提供了一种组合式金属氧化物半导体MOS和金属绝缘体半导体MIS电容器组件。该电容器组件包括：衬底，该衬底包括半导体材料；氧化层，该氧化层形成在衬底的表面上；以及绝缘层，该绝缘层形成在氧化层的至少一部分上。该电容器组件还包括第一导电端子和第二导电端子，以及与衬底连接的第三端子。该氧化层串联连接在衬底与第一导电层之间，以在第一端子与第三端子之间形成第一电容器。绝缘层串联连接在衬底与第二导电层之间，以在第二端子与第三端子之间形成第二电容器。
主权项：1.一种电容器组件，包括：衬底，所述衬底包括半导体材料；氧化层，所述氧化层形成在所述衬底的表面上；绝缘层，所述绝缘层形成在所述氧化层的至少一部分上；第一导电层，所述第一导电层形成在所述氧化层的至少一部分上；第二导电层，所述第二导电层形成在所述绝缘层的至少一部分上；第一端子，所述第一端子与所述第一导电层连接；第二端子，所述第二端子与所述第二导电层连接；以及第三端子，所述第三端子与所述衬底连接；其中，所述氧化层串联连接在所述衬底与所述第一导电层之间，以在所述第一端子与所述第三端子之间形成第一电容器；并且其中，所述绝缘层串联连接在所述衬底与所述第二导电层之间，以在所述第二端子与所述第三端子之间形成第二电容器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京瓷AVX元器件公司 组合式MOS/MIS电容器组件
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