龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：合肥艾创微电子科技有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263324A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种碳化硅MOS场效应晶体管及其制造方法，其碳化硅MOS场效应晶体管，包括依次接触形成的源区、基区、漏区，源区、基区与漏区均以碳化硅材料为基底掺杂而成，源区、基区与漏区之间依序为NPN型掺杂或者PNP型掺杂；基区中以选择性外延生长技术形成若干层不同掺杂浓度的沟道掺杂层；还包括栅区，栅区经基区表面延伸至源区与漏区表面，栅区根据其上的偏压在靠近其的基区中形成导电沟道。该碳化硅MOS场效应晶体管由于在基区中具有不同掺杂浓度的沟道掺杂层，而且可以降低落在源区与基区之间的PN结上的压降，从而延缓该PN结的开启，使得碳化硅MOS场效应管的寄生双极型晶体管效应得到抑制。
主权项：1.一种碳化硅MOS场效应晶体管，其特征在于，包括依次接触形成的源区1、基区2、漏区3，源区1、基区2与漏区3均以碳化硅材料为基底掺杂而成，源区1、基区2与漏区3之间依序为NPN型掺杂或者PNP型掺杂；其中，所述基区2中以选择性外延生长技术形成若干层不同掺杂浓度的碳化硅多层薄膜结构；还包括栅区4，栅区4经基区2表面延伸至源区1与漏区3表面，栅区4根据其上的偏压在靠近其的基区2中形成导电沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥艾创微电子科技有限公司 碳化硅MOS场效应晶体管及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号