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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118260938A
主分类号：G06F30/20
分类号：G06F30/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种使用工艺仿真工具的MOS半导体装置设计方法及装置，应用于集成电路制造技术领域。具体的，其针对设于栅极结构至少一侧的LDD离子注入区和Halo离子注入区，在逐渐调节沿所述栅极结构沟道长度方向的掺杂物横向矩的同时，对所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的掺杂物浓度分布进行工艺仿真，得到意想不到的效果是：在考虑MOS半导体装置中的所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的掺杂物浓度在深度方向对其沟道长度L的影响之外，还进一步与工艺仿真工具TCAD相结合，实现逐步调节所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的横向掺杂物浓度分布的目的。
主权项：1.一种使用工艺仿真工具的MOS半导体装置设计方法，其特征在于，至少包括如下步骤：针对设于栅极结构至少一侧的LDD离子注入区和Halo离子注入区，在逐渐调节沿所述栅极结构沟道长度方向的掺杂物横向矩的同时，对所述LDD离子注入区及所述Halo离子注入区的掺杂物浓度分布进行工艺仿真。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 使用工艺仿真工具的MOS半导体装置设计方法及装置
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