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申请/专利权人：深圳大学
申请日：2024-02-21
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263252A
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L29/06;H01L23/48;H01L23/528;H01L21/8252;H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了立体高集成MOS晶体管及其制备方法，其中，MOS晶体管包括：立体衬底、间隔设置于立体衬底的外表面的若干器件、覆盖于器件表面和立体衬底表面的互联介质层；器件为PMOS管或NMOS管；互联介质层至少内部固定有若干互联金属，各器件的漏极之间、各器件的源极之间以及各器件的栅极之间通过各互联金属意义对应连接。本发明中的MOS晶体管，通过改进衬底的结构，有效解决了MOS晶体管的散热问题，增大了MOS晶体管的集成度，充分提高了MOS晶体管的功率密度和电流密度，使大功率的MOS晶体管能够应用于更广泛的场景。
主权项：1.立体高集成MOS晶体管，其特征在于，包括：立体衬底、间隔设置于所述立体衬底的外表面的若干器件、覆盖于所述器件表面和所述立体衬底表面的互联介质层；所述器件为PMOS管或NMOS管；所述互联介质层至少内部固定有若干互联金属，各所述器件的漏极之间、各所述器件的源极之间以及各所述器件的栅极之间通过各所述互联金属意义对应连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 立体高集成MOS晶体管及其制备方法
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