申请/专利权人：上海金脉电子科技有限公司

申请日：2024-03-27

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN118259128A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.28#公开

摘要：本发明公开了一种MOS管关断损耗的计算方法、装置、设备及介质，方法包括：确定第一时段关于第二电压值的第一曲线以及漏源电流关于第二电压值的第二曲线；确定栅源电压关于第二电压值的第三曲线；根据第二电压值的取值范围确定第二电压值的第四曲线；将第一曲线、第二曲线、第三曲线以及第四曲线放在同一坐标系中，确定第三曲线和第四曲线的交点，并根据交点的横坐标确定第一曲线和第二曲线对应的纵坐标的值；根据第一电流值、第一时段以及第二电压值确定MOS管在第一时段的关断损耗。本发明实施例根据源极寄生电感电压的取值范围，采用数组与图型结合的方式求得第一时段和第一电流值，可以精确的求得MOS管关断损耗。

主权项：1.一种MOS管关断损耗的计算方法，其特征在于，包括：构建漏源电流与第一时段的第一关系式、所述漏源电流与栅源电压的第二关系式以及所述栅源电压与所述第一时段的第三关系式，所述第一时段为漏源电压开始增大至第一电压值所需的时间，所述第一电压值为Vin+Vdiode_f，其中，Vin为所述MOS管的输入电压，Vdiode_f为所述MOS管体二极管的正向导通压降；根据所述第一关系式、所述第二关系式、所述第三关系式以及源极寄生电感电压，确定所述第一时段关于第二电压值的第一曲线以及所述漏源电流关于所述第二电压值的第二曲线，所述第二电压值为门极阈值电压与源极寄生电感电压的和；构建所述第二电压值与栅源电压的第四关系式；根据所述第四关系式确定所述栅源电压关于所述第二电压值的第三曲线；根据所述第二电压值的取值范围确定所述第二电压值的第四曲线；将所述第一曲线、所述第二曲线、所述第三曲线以及所述第四曲线放在同一坐标系中，确定所述第三曲线和所述第四曲线的交点，并根据所述交点的横坐标确定所述第一曲线和所述第二曲线对应的纵坐标的值，所述第一曲线和所述第二曲线对应的纵坐标的值分别为所述第一时段的对应值和所述MOS管的第一电流值，所述第一电流值为所述漏源电流从第二电流值开始下降所述第一时段后的电流值，所述第二电流值为所述MOS管关管起始时刻的电流值；根据所述第一电流值、所述第一时段以及所述第二电压值确定所述MOS管在所述第一时段的关断损耗。

全文数据：

权利要求：

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