申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2021-09-06

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN113723037B

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开

摘要：本发明提供一种用于射频MOS器件建模的测试系统和射频MOS器件的建模方法。该测试系统中，从测试结构采用与主测试结构不同的电极设置，其中第二MOS器件的源极和漏极分别连接两个测试端口，而栅极单独接出以便于设置相应的偏压，如此从测试结构的S参数可以表征主测试结构忽略的寄生电容，有助于提高模型的准确度。所述建模方法中，利用上述测试系统的测试结果设置模型电路中每个寄生元件的初始值，并利用从测试结构的测试结果对至少部分寄生元件的初始值进行修正，最后得到各个寄生元件的寄生参数值。所述建模方法构建的模型电路中寄生元件较为全面，且该建模方法可以实现对各个寄生元件的寄生参数值的设置，相对于现有技术建模准确度高。

主权项：1.一种用于射频MOS器件建模的测试系统，其特征在于，所述测试系统包括主测试结构和从测试结构，所述主测试结构和所述从测试结构均采用二端口测试连接；其中，所述主测试结构包括第一MOS器件，所述第一MOS器件的栅极和漏极分别连接所述主测试结构的两个测试端口，所述第一MOS器件的源极和衬底短接且接地；所述从测试结构包括第二MOS器件，所述第二MOS器件的源极和漏极分别连接所述从测试结构的两个测试端口，所述第二MOS器件的栅极单独接出以便于设置相应的偏压，所述第二MOS器件的衬底接地；射频MOS器件的模型电路包括本征MOS器件和多个寄生元件，所述本征MOS器件具有源极、漏极、栅极和衬底四个电极，所述多个寄生元件包括所述栅极和所述衬底之间形成的栅衬寄生电容Cgb、所述源极和所述衬底之间形成的源衬寄生电容Csb和所述漏极、所述漏极和所述衬底之间形成的漏衬寄生电容Cdb、漏衬寄生电阻Rdb、源衬寄生电阻Rsb、衬底端寄生电阻Rb、漏极端寄生电阻Rd、源极端寄生电阻Rs、栅极端寄生电阻Rg、栅漏寄生电容Cgd、栅源寄生电容Cgs和漏源寄生电容Cds；所述栅衬寄生电容Cgb、所述源衬寄生电容Csb和所述漏衬寄生电容Cdb的初始值用于代入所述模型电路中，所述主测试结构用于获得所述主测试结构的S参数和电流电压数据，所述主测试结构的电流电压数据用于拟合确定所述漏极端寄生电阻Rd和所述源极端寄生电阻Rs的初始值，所述主测试结构的S参数用于获取所述主测试结构去嵌后的S参数，所述主测试结构去嵌后的S参数用于转换为所述主测试结构去嵌后的Y参数和Z参数，所述主测试结构去嵌后的Y参数和所述Z参数的不同分量用于拟合获得所述漏衬寄生电阻Rdb、所述源衬寄生电阻Rsb、所述衬底端寄生电阻Rb、所述栅极端寄生电阻Rg、所述栅漏寄生电容Cgd、所述栅源寄生电容Cgs和所述漏源寄生电容Cds的初始值；所述从测试结构用于获得所述从测试结构的S参数，所述从测试结构的S参数用于获得所述从测试结构去嵌后的S参数，所述从测试结构去嵌后的S参数用于对所述模型电路中的至少部分寄生元件的初始值进行修正。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 用于射频MOS器件建模的测试系统和建模方法

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