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申请/专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日：2023-10-11
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN117393597B
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开
摘要：本发明提供一种HEMT器件及其制备方法。所述HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、P型GaN栅极、栅极电极、源极电极及漏极电极；所述沟道层位于衬底上，所述势垒层位于沟道层上，势垒层和沟道层的界面处形成二维电子气；所述P型GaN栅极、源极电极及漏极电极间隔分布于势垒层上，所述栅极电极位于所述P型GaN栅极上方，源极电极和漏极电极位于P型GaN栅极的相对两侧，其中，所述HEMT器件中形成有钝化区，所述钝化区自所述P型GaN栅极的下部延伸到栅极与漏极电极之间的势垒层中，且所述钝化区与漏极电极具有间距。本发明有助于更加灵活地调制沟道电场，降低栅极靠近漏极一侧边缘漏电的效果，提升器件的击穿特性，且有助于提高后续光刻精度，提高器件制备良率。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、P型GaN栅极、栅极电极、源极电极及漏极电极；所述沟道层位于衬底上，所述势垒层位于沟道层上，势垒层和沟道层的界面处形成二维电子气；所述P型GaN栅极、源极电极及漏极电极间隔分布于势垒层上，所述栅极电极位于所述P型GaN栅极上方，源极电极和漏极电极位于P型GaN栅极的相对两侧，其中，所述HEMT器件中形成有钝化区，所述钝化区自所述P型GaN栅极的下部延伸到P型GaN栅极与漏极电极之间的势垒层中，且所述钝化区与漏极电极具有间距；其中，所述钝化区包括位于P型GaN栅极中的部分及位于势垒层中的部分，且势垒层中的钝化区的深度小于等于势垒层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微半导体有限公司 HEMT器件及其制备方法
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