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申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
申请日：2022-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248714A
主分类号：H01L29/10
分类号：H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道层、凹槽及势垒层，其中，所述缓冲层覆盖所述衬底的上表面；所述沟道层覆盖所述缓冲层的上表面；多个所述凹槽间隔设置，所述凹槽位于所述沟道层中且开口向上，所述凹槽的底面与所述沟道层的下表面间隔预设距离；所述势垒层覆盖所述沟道层的显露上表面及所述凹槽的内壁和底面。本发明通过于沟道层中设置多个凹槽，增大了势垒层与沟道层的接触面的面积，使器件中的二维电子气的面积也随之增大，在不改变器件面积的情况下，增大了器件中的单位面积的电流密度。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，覆盖所述衬底的上表面；沟道层，覆盖所述缓冲层的上表面；多个间隔设置的凹槽，位于所述沟道层中且开口向上，所述凹槽的底面与所述沟道层的下表面间隔预设距离；势垒层，覆盖所述沟道层的显露上表面及所述凹槽的内壁和底面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华润微电子(重庆)有限公司 一种HEMT器件及其制备方法
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