龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：南通大学
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248713A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/205
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种集成P‑N结的增强型GaNHEMT器件。增强型GaNHEMT器件包括外延结构以及与外延结构匹配的源极、漏极和栅极，外延结构包括沟道层、第一势垒层、第二势垒层和P‑N反向堆叠层，第一势垒层沿选定方向层叠设置在沟道层上，P‑N反向堆叠层沿选定方向层叠设置在第一势垒层的栅极区域，第二势垒层选定方向层叠设置在第一势垒层、P‑N反向堆叠层上，源极、漏极设置在第二势垒层上，并与第二势垒层形成欧姆接触，栅极设置在P‑N反向堆叠层上，并与P‑N反向堆叠层形成肖特基接触。本发明为制作增强型HEMT器件提供了一种行之有效的方法，制备出的GaNHEMT器件的栅极击穿电压更高。
主权项：1.一种集成P-N结的增强型GaNHEMT器件，包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述外延结构包括沟道层、第一势垒层、第二势垒层和P-N反向堆叠层，所述第一势垒层沿所述选定方向层叠设置在所述沟道层上，所述P-N反向堆叠层沿所述选定方向层叠设置在所述第一势垒层的栅极区域，所述第二势垒层所述选定方向层叠设置在所述第一势垒层、所述P-N反向堆叠层上，所述源极、所述漏极设置在所述第二势垒层上，并与所述第二势垒层形成欧姆接触，所述栅极设置在所述P-N反向堆叠层上，并与所述P-N反向堆叠层形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南通大学 集成P-N结的增强型GaN HEMT器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号