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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-07-16
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113594353B
主分类号：H10N50/80
分类号：H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00
优先权：["20200717 US 63/053,025","20210518 US 17/323,181"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开
摘要：磁隧道结器件包括：柱结构，从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构；顶部电极，位于磁隧道结结构上面；以及介电金属氧化物层，从柱结构的侧壁延伸至顶部电极的侧壁。磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层。顶部电极包括包含非磁性金属元素的金属材料。可以通过在聚焦离子束蚀刻工艺之后执行氧化残留金属膜的氧化工艺来形成介电金属氧化物层，并且从柱结构的表面消除导电路径。本发明的实施例还涉及磁隧道结器件的形成方法。
主权项：1.一种磁隧道结器件，包括：柱结构，从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构，所述磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层；顶部电极，位于所述磁隧道结结构上面并且包括包含非磁性金属元素的金属材料；以及介电金属氧化物层，从所述柱结构的侧壁延伸至所述顶部电极的侧壁，其中，与所述柱结构的所述侧壁接触的所述介电金属氧化物层的下部包括复合介电金属氧化物材料，所述复合介电金属氧化物材料包含所述第一铁磁材料的金属氧化物、所述第二铁磁材料的金属氧化物和所述非磁性金属元素的金属氧化物，其中，所述介电金属氧化物层的所述下部内的所述非磁性金属元素的金属氧化物的平均摩尔分数在从0.001至0.5的范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 磁隧道结器件及其形成方法
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