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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265441A
主分类号：H10N60/01
分类号：H10N60/01;H10N60/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法，包括以下步骤：提供一基底；依次形成下电极层、势垒层及上电极层于基底上，势垒层覆盖下电极层，上电极层覆盖势垒层；形成光刻胶层于上电极层的表面并图形化光刻胶层；基于图形化后的光刻胶层刻蚀上电极层；缩小图形化后的光刻胶层；以缩小后的光刻胶层为掩膜刻蚀上电极层以得到上电极；图形化刻蚀势垒层并去除光刻胶层；图形化刻蚀下电极层以得到下电极。本发明的制作方法能够克服光刻机的光刻极限，得到纳米级别的约瑟夫森结，并且在现有技术基础上不需要对掩膜版的设计作出变动，能够有效提升超导电路的集成度和工作频率和稳定性。
主权项：1.一种纳米约瑟夫森结的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底；依次形成下电极层、势垒层及上电极层于所述基底上，所述势垒层覆盖所述下电极层，所述上电极层覆盖所述势垒层；形成光刻胶层于所述上电极层的表面并图形化所述光刻胶层；基于图形化后的所述光刻胶层刻蚀所述上电极层；缩小图形化后的所述光刻胶层；以缩小后的所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述上电极层以得到上电极；图形化刻蚀所述势垒层并去除所述光刻胶层；图形化刻蚀所述下电极层以得到下电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法
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