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申请/专利权人：北京航空航天大学
申请日：2020-12-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113764576B
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.12.24#实质审查的生效;2021.12.07#公开
摘要：本发明提供了一种磁隧道结的制备方法及单元结构，所述制备方法包括：在衬底上形成底电极层；在所述底电极层上形成磁隧道结；在所述磁隧道结和所述底电极层组成的表面上形成第一介质层，并根据底电极图案对所述底电极层进行图案化；在图案化后的底电极层和第一介质层组成的表面上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层直至所述底电极层和所述磁隧道结分别得到底电极通孔和顶电极通孔并金属化，本发明可降低或避免刻蚀副产物再沉积带来的影响。
主权项：1.一种磁隧道结的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成底电极层；在所述底电极层上形成磁隧道结；在所述磁隧道结和所述底电极层组成的表面上形成第一介质层，并根据底电极图案对所述底电极层进行图案化；在图案化后的底电极层和第一介质层组成的表面上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层直至所述底电极层和所述磁隧道结分别得到底电极通孔和顶电极通孔并金属化；进一步包括在形成第一介质层，之前：对所述磁隧道结的侧壁进行氧化处理得到第一侧壁氧化层；进一步包括在形成第二介质层，之前：对图案化后的底电极层进行氧化处理得到第二侧壁氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京航空航天大学 磁隧道结的制备方法及单元结构
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