申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN118263203A

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/772

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.28#公开

摘要：本发明公开了一种集成有双向近结液冷结构的氮化镓晶体管，包括第一衬底层、外延结构、源电极、漏电极、第一介质层、栅电极、第一嵌入式微流结构、衬底盖板、多个背通孔、第二介质层、第二衬底层和第二嵌入式微流结构，其中，外延结构包括自下而上设置的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，源电极和漏电极设置在势垒层上表面两侧；第一介质层设置在势垒层上，栅电极设置在介质层上并延伸至势垒层上表面；第一嵌入式微流结构开设在第一衬底层下表面；第二介质层设置在第一介质层上，第二衬底层第二衬底层键合在第二介质层上并开设有多个第二嵌入式微流结构。本发明同时在器件顶部和底部引入近结液冷散热结构，最大程度上实现了近结液冷散热结构的散热潜力。

主权项：1.一种集成有双向近结液冷结构的氮化镓晶体管，其特征在于，包括第一衬底层1、外延结构、源电极6、漏电极7、第一介质层8、栅电极9、第一嵌入式微流结构10、衬底盖板11、多个背通孔12、第二介质层13、第二衬底层15和第二嵌入式微流结构16，其中，所述外延结构包括在所述第一衬底层1上表面自下而上设置的成核层2、缓冲层3、沟道层4和势垒层5，所述源电极6和所述漏电极7设置在所述势垒层5上表面两侧并下沉至所述沟道层4，所述源电极6和所述漏电极7分别与所述势垒层5和所述沟道层4之间的异质结沟道形成欧姆接触；所述第一介质层8设置在所述源电极6与所述漏电极7之间的势垒层5上，所述栅电极9设置在所述介质层8上并且所述栅电极9的至少一部分穿过所述介质层8延伸至所述势垒层5上表面；所述第一嵌入式微流结构10开设在所述第一衬底层1下表面，所述衬底盖板11密封连接在所述第一衬底层1的下表面；所述背通孔12从所述衬底盖板11的下表面贯穿至所述源电极6、所述漏电极7和所述栅电极9的下表面，并且所述背通孔12内填充金属；所述第二介质层13设置在所述第一介质层8的上表面并覆盖所述源电极6、所述漏电极7和所述栅电极9，所述第二衬底层15键合在所述第二介质层13的上表面，并且所述第二嵌入式微流结构16开设在所述第二衬底层15的下表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 集成有双向近结液冷结构的氮化镓晶体管及其制备方法

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