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申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
申请日：2022-11-16
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266085A
主分类号：H01L29/10
分类号：H01L29/10
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种氮化物基半导体电路，包括载体，氮化物基半导体晶粒和连接夹。氮化物基半导体电路具有第一连接表面，第一连接表面围绕所述载体，且连接夹连接氮化物基半导体晶粒与第一连接表面。载体具有容纳孔。氮化物基半导体晶粒设置在容纳孔中。每个连接夹都具有接地表面，接地表面位于氮化物基半导体电路的顶部，并且接地表面位于载体和氮化物基半导体晶粒上方。氮化物基半导体晶粒具有第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层和2DEG区域。
主权项：1.一种氮化物基半导体电路，其特征在于，包括：载体，其具有容纳孔；氮化物基半导体晶粒，其设置在所述容纳孔中；多个第一连接表面，其围绕所述载体；以及多个连接夹，其连接所述氮化物基半导体晶粒和所述第一连接表面；其中每个连接夹都具有接地表面，所述接地表面位于所述氮化物基半导体电路的顶部，所述接地表面位于所述载体和所述氮化物基半导体晶粒上方；其中，所述氮化物基半导体晶粒具有第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层，所述第二氮化物基半导体层设置在所述第一氮化物基半导体层上，所述第二氮化物基半导体层的带隙大于所述第一氮化物基半导体层的带隙，并且在所述第一氮化物基半导体层和所述第二氮化物基半导体层之间的界面附近形成2DEG区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 氮化物基半导体电路及其制造方法
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