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申请/专利权人:上海华力微电子有限公司
摘要:本发明提供了一种形成双应力氮化硅层的方法及半导体器件,属于半导体领域。该形成双应力氮化硅层的方法包括提供一具有第一区域和第二区域的衬底,在所述第一区域和第二区域沉积氮化硅层,所述第一区域和所述第二区域的氮化硅层均为第一拉应力层;在所述第二区域覆盖光罩;利用UV光至少一次照射所述第一区域的氮化硅层,以将所述第一区域的氮化硅层转变为第二拉应力层,其中,所述第二拉应力层的拉应力大于所述第一拉应力层的拉应力;将所述第二区域覆盖的光罩去除。本发明通过引入光罩,利用UV光照射NMOS晶体管表面沉积的氮化硅层,以将NMOS晶体管表面的氮化硅层转变为第二拉应力层,使得NMOS晶体管的拉应力大于PMOS晶体管的拉应力,从而能够避免NMOS晶体管和PMOS晶体管的交界区域产生叠层,在NMOS晶体管和PMOS晶体管的交界区域形成打穿至衬底的连接孔时,能够顺利打通,并且工艺简单易实施。
主权项:1.一种形成双应力氮化硅层的方法,其特征在于,包括:提供一具有第一区域和第二区域的衬底,在所述第一区域和第二区域沉积氮化硅层,所述第一区域和所述第二区域的氮化硅层均为第一拉应力层;在所述第二区域覆盖光罩;利用UV光至少一次照射所述第一区域的氮化硅层,以将所述第一区域的氮化硅层转变为第二拉应力层,其中,所述第二拉应力层的拉应力大于所述第一拉应力层的拉应力;将所述第二区域覆盖的光罩去除。
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权利要求:
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