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申请/专利权人：株式会社理光
摘要：一种氮化物半导体结构，包括包含Mg作为杂质的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括第一区域和在平行于氮化物半导体层的平面中围绕第一区域的第二区域，其中第二区域的In组成小于第一区域的In组成，并且其中第二区域的氢原子浓度比第一区域的氢原子浓度高两倍以上。
主权项：1.氮化物半导体结构，包括：包含Mg作为杂质的氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括第一区域及在平行于所述氮化物半导体层的平面中围绕所述第一区域的第二区域，所述第二区域的In组成小于所述第一区域的In组成，并且所述第二区域的氢原子浓度比所述第一区域的氢原子浓度高两倍以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社理光 氮化物半导体结构、发光元件、光源设备及氮化物半导体结构的制造方法
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