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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明提供了一种立体氮化镓基PN二极管及其制备方法，其中，一种立体氮化镓基PN二极管，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各器件区域上的若干器件、覆盖器件表面和立体衬底的非器件区域的互联介质层；各器件包括设置于立体衬底表面的第一介质层、设置于第一介质层背离立体衬底一侧的n‑‑GaN层、设置于n‑‑GaN层上背离立体衬底一侧的阴极和p‑GaN层、设置于p‑GaN层上背离立体衬底一侧的阳极；互联介质层固定有若干互联金属，器件之间对应的阳极通过互联金属连接，器件之间对应的阴极也通过互联金属连接。本发明中的二极管，立体衬底散热性佳，二极管的集成度高，具备更优异的电性能，应用场景更加广泛，提高了器件的性能和寿命。
主权项：1.一种立体氮化镓基PN二极管，其特征在于，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各所述器件区域上的若干器件、覆盖所述器件表面和所述立体衬底的非器件区域的互联介质层；各所述器件包括设置于所述立体衬底表面的第一介质层、设置于所述第一介质层背离所述立体衬底一侧的n--GaN层、设置于所述n--GaN层上背离所述立体衬底一侧的阴极和p-GaN层、设置于所述p-GaN层上背离所述立体衬底一侧的阳极；所述互联介质层固定有若干互联金属，所述器件之间对应的所述阳极通过所述互联金属连接，所述器件之间对应的所述阴极也通过所述互联金属连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 立体氮化镓基PN二极管及制备方法
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