申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司

申请日：2023-10-07

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN117012836B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L21/34;H01L21/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2023.11.24#实质审查的生效;2023.11.07#公开

摘要：本发明公开了一种纵向氧化镓MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该器件的最底端设置有漏极金属层，所述漏极金属层的上方依次设置有n+Ga2O3衬底和n‑Ga2O3漂移层，所述n‑Ga2O3漂移层包括p型Ga2O3绝缘层、Ga2O3沟道区和源极金属层；所述n‑Ga2O3漂移层上方的中心处设计有沟槽，所述沟槽的内部设置有贯穿Ga2O3沟道区内部中心处的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的内部设置有栅极。该纵向氧化镓MOSFET器件及其制备方法，通过采用纵向沟槽型结构，利用电子导电，不需要考虑p型掺杂的激活问题，规避了氧化镓器件p型掺杂难以实现的问题。

主权项：1.一种纵向氧化镓MOSFET器件，其特征在于，该器件的最底端设置有漏极金属层，所述漏极金属层的上方设置有n+Ga2O3衬底，所述n+Ga2O3衬底的上方设置有n-Ga2O3漂移层，所述n-Ga2O3漂移层包括位于上方的p型Ga2O3绝缘层和其上方的Ga2O3沟道区，所述n-Ga2O3漂移层还包括位于Ga2O3沟道区上方的源极金属层；所述n-Ga2O3漂移层上方的中心处设计有沟槽，所述沟槽的内部设置有贯穿Ga2O3沟道区内部中心处的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的内部设置有栅极；所述源极金属层基于刻槽的形式用以形成氧化镓和金属的欧姆接触；该器件在栅极上还设置有一个负向电压和一个正向电压，所述负向电压为-5V，所述正向电压为+15V；所述负向电压，用于实现器件的完全关断；所述正向电压，用于实现MOSFET的低导通电阻状态；所述纵向氧化镓MOSFET器件的制备方法，包括以下具体操作步骤：S1、在n-Ga2O3漂移层上形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，在通孔的外延处进行p型离子注入，以形成p型Ga2O3绝缘层；S2、在n-Ga2O3漂移层上方的p型Ga2O3绝缘层上再次进行离子注入，形成Ga2O3沟道区；S3、在Ga2O3沟道区上形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成栅极绝缘层，基于Ga2O3沟道区的沟槽结构，将栅极绝缘层拓展到器件的内部，用于实现对器件内部的p型Ga2O3绝缘层附近导电沟道的导通关断的控制；S4、对栅极绝缘层进行淀积氧化铪，形成栅极绝缘层；S5、在Ga2O3沟道区上形成第三阻挡层，并对第三阻挡层蚀刻形成栅极区，并在栅极绝缘层内淀积栅极；S6、在Ga2O3沟道区上的外侧形成第四阻挡层，并对第四阻挡层蚀刻源区，并在源区淀积源极金属，形成源极金属层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种纵向氧化镓MOSFET器件及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD