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申请/专利权人：南京工业职业技术大学
申请日：2024-04-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118259129A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26;G16C20/30
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET动态行为分析方法和装置、电子设备、存储介质，分析方法包括：采集碳化硅MOSFET数据手册中电压和电流的参数值；针对碳化硅MOSFET，建立漏极电流关于栅源电压和漏源电压的多项式；采用精英遗传智能优化算法提取多项式中变量的最优值，建立碳化硅MOSFET静态行为；通过描点的方式提取静态行为中转移特性和输出特性；在输出特性与转移特性的基础上，结合电气参数利用双脉冲电路获取MOSFET动态行为。本发明的技术方案能够准确表征碳化硅MOSFET动态开关行为，无需获取MOSFET内部结构且避免标准环境测试，提高了动态行为分析效率，且具有较高的经济效益。
主权项：1.一种碳化硅MOSFET动态行为分析方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采集碳化硅MOSFET数据手册中电压和电流的参数值；步骤2：针对碳化硅MOSFET，建立漏极电流关于栅源电压和漏源电压的多项式；步骤3：采用精英遗传智能优化算法提取所述多项式中变量的最优值，建立碳化硅MOSFET静态行为；步骤4：通过描点的方式提取静态行为中转移特性和输出特性；步骤5：在输出特性与转移特性的基础上，结合电气参数利用双脉冲电路获取碳化硅MOSFET动态行为。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京工业职业技术大学 一种碳化硅MOSFET动态行为分析方法和装置、电子设备、存储介质
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