申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2024-03-25

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN118263335A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L21/34;H01L29/24

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.28#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氧化镓二极管。氧化镓二极管，包括氧化镓晶片，阴极电极、阳极电极以及P型半导体一。氧化镓晶片包括氧化镓衬底层以及氧化镓外延层。P型半导体一为n层，n为层数且n≥2。本发明通过设置多层P型半导体一，P型半导体一的一端与氧化镓外延层形成PN结，PN结能够补偿耗尽侧面的电荷。通过PN结的耗尽效果，可以将氧化镓二极管中由于刻蚀引入的悬挂键以及刻蚀损伤引入的固定电荷等非理想因素钝化，减少由此引起的电阻退化，提升器件的稳定性。同时P型半导体一的另一端与阳极电极连接形成等势体，能够促进侧面PN结的耗尽，也能将器件的高电场由原先的侧面分散至端面，实现降低整个器件电场强度的目的。

主权项：1.一种氧化镓二极管，其特征在于，其包括：氧化镓晶片，其包括氧化镓衬底层1以及氧化镓外延层2；所述氧化镓外延层2为凸起状结构，且其下底面生长于所述氧化镓衬底层1的一侧上，所述氧化镓外延层2设有侧面21和端面22，所述侧面21的一端与所述氧化镓外延层2的上底面相交，所述侧面21的另一端与所述端面22相交；阴极电极3，其生长于所述氧化镓衬底层1远离所述氧化镓外延层2的一侧上；阳极电极4，其生长于所述氧化镓外延层2的上底面上；P型半导体一5，所述P型半导体一5为n层，n为层数且n≥2，第一层P型半导体一包裹于所述侧面21外，且所述第一层P型半导体一的一端朝着所述阳极电极4延伸，一直延伸至覆盖所述阳极电极4并与所述阳极电极4连接，所述第一层P型半导体一的另一端沿着所述端面22向外延伸；第n层P型半导体一包裹于第n-1层P型半导体一的外侧，所述第n层P型半导体一的一端朝着所述阳极电极4延伸，一直延伸至全部包裹住覆盖在所述阳极电极4上的所述第n-1层P型半导体一并与所述阳极电极4连接；所述第n层P型半导体一的另一端沿着所述端面22向外延伸；其中，所述P型半导体一5沿着所述端面22向外延伸的长度为L，n层所述P型半导体一的长度L满足：第一层P型半导体一的长度L1≥第二层P型半导体一的长度L2≥……≥第n层P型半导体一的长度Ln；L表示所述P型半导体一5沿着所述端面22向外延伸的长度，L1为第一层P型半导体一沿着所述端面22向外延伸的长度，L2为第二层P型半导体一沿着所述端面22向外延伸的长度，Ln为第n层P型半导体一沿着所述端面22向外延伸的长度，n层所述P型半导体一5沿着所述端面22向外延伸的长度形成阶梯状结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 一种氧化镓二极管及其制备方法

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