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申请/专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司
申请日：2022-12-07
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156305A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种SGT半导体器件，栅极结构包括形成于栅极沟槽中屏蔽介质层、屏蔽栅导电材料层、栅间介质层、栅极导电材料层和栅介质层。器件的步进为栅极沟槽的宽度和栅极沟槽之间的平台区的宽度的和。栅极沟槽的宽度由屏蔽栅导电材料层的宽度和2倍的屏蔽介质层的厚度和决定。屏蔽介质层中包括第一氧化层和第二介质层。第一氧化层直接和栅极沟槽的底部区域的内侧表面接触。第二介质层形成于所述第一氧化层的表面上，第二介质层采用介电常数低于第一氧化层的介电常数的低介电常数材料，以降低屏蔽介质层所需的耐压厚度从而降低步进。本发明能保证器件的耐压的条件下减少器件的步进，从而能增加沟道密度、减少比导通电阻以及降低器件应力。
主权项：1.一种SGT半导体器件，其特征在于，器件单元区中的器件单元包括栅极结构；所述栅极结构包括形成于栅极沟槽中屏蔽介质层、屏蔽栅导电材料层、栅间介质层、栅极导电材料层和栅介质层；所述栅极沟槽形成于第一导电类型掺杂的第一外延层中；所述屏蔽介质层形成于所述栅极沟槽的底部区域的内侧表面且所述屏蔽介质层间隔在所述屏蔽栅导电材料层和所述栅极沟槽的底部区域的内侧表面之间；所述栅介质层形成于所述屏蔽介质层顶部的所述栅极沟槽的侧面且所述栅介质层间隔在所述栅极导电材料层和所述栅极沟槽的顶部区域的侧面之间；所述栅间介质层间隔在所述屏蔽栅导电材料层和所述栅极导电材料层之间；SGT半导体器件的步进为所述栅极沟槽的宽度和所述栅极沟槽之间的平台区的宽度的和；所述栅极沟槽的宽度由所述屏蔽栅导电材料层的宽度和2倍的所述屏蔽介质层的厚度和决定；所述屏蔽介质层中包括第一氧化层和第二介质层；所述第一氧化层直接和所述栅极沟槽的底部区域的内侧表面接触，以降低所述屏蔽介质层和所述第一外延层之间的界面缺陷；所述第二介质层形成于所述第一氧化层的表面上，所述第二介质层采用介电常数低于所述第一氧化层的介电常数的低介电常数材料，利用所述第二介质层的低介电常数来降低所述屏蔽介质层所需的耐压厚度，从而降低所述器件单元的步进。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南通尚阳通集成电路有限公司 SGT半导体器件
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