龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日：2024-04-17
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118099193A
主分类号：H01L29/08
分类号：H01L29/08;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种可调的SGT功率器件及其制备方法，可调的SGT功率器件包括：半导体衬底上形成有外延层；沟槽结构包括源极沟槽组、栅极沟槽组以及切换沟槽组，源极沟槽组设于外延层的元胞区内，栅极沟槽组对称排列于源极沟槽组的侧边，切换沟槽组设于源极沟槽组上且位于栅极沟槽组之间，源极沟槽组与栅极沟槽组和切换沟槽组之间填充有厚氧氧化层；元胞体区设于半导体衬底上，且位于相邻的沟槽结构之间；元胞源区设于半导体衬底上，且对应排布在元胞体区的上表面；接触孔位于相邻的沟槽结构之间的中心处。本申请可以根据实际场景切换SGT结构形貌，提高SGT功率器件的应用范围。
主权项：1.一种可调的SGT功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有外延层；沟槽结构，所述沟槽结构包括源极沟槽组、栅极沟槽组以及切换沟槽组，所述源极沟槽组设于所述外延层的元胞区内，所述栅极沟槽组对称排列于所述源极沟槽组的侧边，所述切换沟槽组设于所述源极沟槽组上且位于所述栅极沟槽组之间，所述源极沟槽组与所述栅极沟槽组和所述切换沟槽组之间填充有厚氧氧化层；元胞体区，所述元胞体区设于所述半导体衬底上，且位于相邻的所述沟槽结构之间；元胞源区，所述元胞源区设于所述半导体衬底上，且对应排布在所述元胞体区的上表面；接触孔，所述接触孔位于相邻的所述沟槽结构之间的中心处，且贯穿所述元胞源区后探入至所述元胞体区内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市威兆半导体股份有限公司 可调的SGT功率器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号