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申请/专利权人：松山湖材料实验室
申请日：2024-02-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263306A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及GaN功率器件及其制备方法。GaN功率器件包括：衬底层；外延结构；外延结构位于衬底层表面，至少包括位于外延结构中远离衬底层一侧的势垒层；P型GaN掺杂层；P型GaN掺杂层位于势垒层背向衬底层一侧表面；绝缘介质层；绝缘介质层位于势垒层背向衬底层一侧表面，且包覆P型GaN掺杂层的侧部和P型GaN掺杂层背向衬底层一侧表面；绝缘介质层具有第一开口，第一开口暴露出部分P型GaN掺杂层背向衬底层一侧的表面；栅极接触电极；栅极接触电极至少填充第一开口，与P型GaN掺杂层欧姆接触或肖特基接触。本发明提供的GaN功率器件具有大幅提高的阈值电压和较低的导通电阻。
主权项：1.一种GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底层；外延结构；所述外延结构位于所述衬底层表面，至少包括位于所述外延结构中远离所述衬底层一侧的势垒层；P型GaN掺杂层；所述P型GaN掺杂层位于所述势垒层背向所述衬底层一侧的表面；绝缘介质层；所述绝缘介质层位于所述势垒层背向所述衬底层一侧的表面，且包覆所述P型GaN掺杂层的侧部和所述P型GaN掺杂层背向所述衬底层一侧的表面；所述绝缘介质层具有第一开口，所述第一开口暴露出部分所述P型GaN掺杂层背向所述衬底层一侧的表面；栅极接触电极；所述栅极接触电极至少填充所述第一开口，与所述P型GaN掺杂层欧姆接触或肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 松山湖材料实验室 GaN功率器件及其制备方法
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