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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-02-19
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118098973A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SGT耐压提升器件及其制造方法。其中器件包括：半导体外延层，所述半导体外延层中形成沟槽栅，所述沟槽栅包括位于下部的屏蔽栅结构和位于上部的栅极结构，所述沟槽栅两侧的所述半导体外延层表层形成第一导电类型体区；第二导电类型的载流子扩展层，所述载流子扩展层形成于所述沟槽栅两侧的所述半导体外延层中，所述载流子扩展层与所述第一导电类型体区相间隔，所述载流子扩展层的掺杂浓度高于所述半导体外延层的掺杂浓度，载流子扩展层的注入能量高于第一导电类型体区的注入能量。
主权项：1.一种SGT耐压提升器件的制造方法，其特征在于，所述SGT耐压提升器件的制造方法包括：提供衬底层，所述衬底层表面形成半导体外延层，所述半导体外延层中形成沟槽栅，所述沟槽栅包括位于下部的屏蔽栅结构和位于上部的栅极结构，所述沟槽栅两侧的所述半导体外延层表层形成第一导电类型体区；向所述沟槽栅两侧的所述半导体外延层中注入第二导电类型杂质，在所述沟槽栅两侧的所述半导体外延层中形成载流子扩展层，所述载流子扩展层与所述第一导电类型体区相间隔；所述载流子扩展层的掺杂浓度高于所述半导体外延层的掺杂浓度，所述载流子扩展层的注入能量高于所述第一导电类型体区的注入能量；通过快速热退火工艺防止所述载流子扩展层扩散；制作位于所述半导体外延层上表面的源极和衬底层下表面中的漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 SGT耐压提升器件及其制造方法
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