龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：钰泰半导体股份有限公司
申请日：2024-05-31
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263330A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L23/48;H01L23/528
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种可双向耐压的DMOS器件，包括源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极同时相互耐压。本发明的可双向耐压的DMOS器件，通过一个DMOS器件替代两个串联的MOS器件来作为高功率管使用，对于特定耐压值，Rsp可以做到接近两MOS器件的Rsp之和，实现同样的Ron目标，DMOS器件面积可以缩减将近50%，从而大幅降低成本。
主权项：1.一种可双向耐压的DMOS器件，其特征在于，包括源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极同时相互耐压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 钰泰半导体股份有限公司 可双向耐压的DMOS器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号