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申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司
摘要：本发明涉及一种沟槽型DMOS器件及其制备方法，该沟槽型DMOS器件包括有设置于栅绝缘层内表面的扩展栅层，该扩展栅层包括第二导电类型的第一扩展栅区、第一导电类型的第二扩展栅区和第三扩展栅区，改善了沟槽型DMOS器件的耐压与比导通电阻的矛盾关系，使得沟槽型DMOS器件不仅具有高的耐压，还具有低的比导通电阻。并且该沟槽型DMOS器件为纵向耐压结构，减小了器件面积，从而减小了器件的导通电阻，同时，源极区和漏极区均可以从正面引出，可以兼容CMOS。
主权项：1.一种沟槽型DMOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型的漂移区和设于所述漂移区内的主沟槽；第一导电类型的漏极区和第一导电类型的源极区，设于所述漂移区的上表层且在所述主沟槽的不同侧；第二导电类型的基区，设于所述漂移区内并接触及包围所述源极区；沟槽扩展栅，包括覆盖于所述主沟槽的底壁和侧壁的栅绝缘层、覆盖于所述栅绝缘层的表面的扩展栅层、以及覆盖所述扩展栅层并填满所述主沟槽的绝缘介质区；所述扩展栅层包括第二导电类型的第一扩展栅区、第一导电类型的第二扩展栅区和第一导电类型的第三扩展栅区；所述第二扩展栅区设于所述主沟槽的靠近所述源极区的侧壁的所述栅绝缘层的表面，所述第三扩展栅区设于所述主沟槽的靠近所述漏极区的侧壁的所述栅绝缘层的表面，所述第一扩展栅区设于所述主沟槽的底壁的所述栅绝缘层的表面并沿所述栅绝缘层的表面延伸邻接至所述第二扩展栅区和所述第三扩展栅区，所述第一扩展栅区与所述第二扩展栅区的交界面与所述基区的下边界位于同一水平面或低于所述下边界。
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权利要求：
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