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申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司;东南大学

摘要：本发明提供了一种具有结型场板的DMOS器件及其制造方法，漏区在半导体基底的表面，源区在第一沟槽的底部的半导体基底中，栅极在第一沟槽的底部，由此实现了纵向耐压，可以缩小整个器件的尺寸，降低导通电阻，极大的优化了耐压和导通电阻的关系。结型场板使得降低表面电阻的效果得到了提升，同时DMOS器件中的沟槽深度可以减小，从而减小了器件的深宽比，进而提高了提升耐压档位的可行性。所述DMOS器件中的源区和漏区均在同一表面引出，从而可以兼容CMOS器件的制造工艺。第二掺杂多晶硅层包括导电类型不同的第一子掺杂层和第二子掺杂层，由此，在N型栅极的情况下，P型掺杂层也能够直接连接栅极电位，提高了结型场板的功效。

主权项：1.一种具有结型场板的DMOS器件的制造方法，其特征在于，所述具有结型场板的DMOS器件的制造方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽；在所述半导体基底上形成具有第一导电类型的第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层覆盖所述半导体基底和所述第一沟槽的表面；对所述第一掺杂多晶硅层执行第一掺杂工艺和第二掺杂工艺，以在所述半导体基底的表面和所述第一沟槽的部分底面形成第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层包括具有第二导电类型的第一子掺杂层和位于所述第一子掺杂层上的具有第一导电类型的第二子掺杂层；执行热处理工艺，以使得所述第一沟槽内的所述第二掺杂多晶硅层向所述第一沟槽的侧面延伸；去除部分所述第二掺杂多晶硅层，露出所述第一沟槽的部分底面；在所述第一沟槽的底部形成体区以及位于所述体区内的源区；执行第三掺杂工艺，以在所述半导体基底的表面形成漏区并在所述第一掺杂多晶硅层的表面形成具有第二导电类型的第三子掺杂层，所述第一沟槽的侧面的所述第二掺杂多晶硅层、所述第一掺杂多晶硅层和所述第三子掺杂层作为结型场板，所述第一沟槽的侧面的所述第一子掺杂层作为栅极；以及形成电连接所述源区的第一引出结构、电连接所述漏区和所述第三子掺杂层的第二引出结构和电连接所述栅极的第三引出结构。

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