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申请/专利权人：模拟电力转换有限责任公司;株式会社京三制作所
申请日：2022-09-09
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251768A
主分类号：H01L27/07
分类号：H01L27/07;H01L29/78;H01L29/872
优先权：["20210914 US 17/475,255"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种半导体器件包括具有第一区域和第二区域的半导体管芯，其中第二区域的工作温度低于第一区域的工作温度。多个第一槽分别设置在第一区域、第二区域或两者中。半导体器件还包括包含多个功率器件单元的功率器件，和具有多个二极管单元的二极管。功率器件单元设置在第一区域中的槽或槽的部分内，二极管单元设置在第二区域中的槽或槽的部分内。功率器件可以包括垂直金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，并且二极管可以包括垂直肖特基势垒二极管SBD。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体管芯，具有第一区域和第二区域，所述第二区域的工作温度低于所述第一区域的工作温度；多个第一槽，设置在所述第一区域中；多个第二槽，设置在所述第二区域中；功率器件，包括多个功率器件单元，所述功率器件单元分别设置在所述多个第一槽中；以及二极管，具有多个二极管单元，所述多个二极管单元分别设置在所述多个第二槽中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 模拟电力转换有限责任公司;株式会社京三制作所 与半导体器件集成的肖特基二极管
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