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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248746A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明属于肖特基二极管技术领域，具体涉及一种低漏电GaN肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的低漏电GaN肖特基二极管，包括：衬底；设置在衬底上表面的N+GaN层，所述N+GaN层由一个平面层以及一体设置于所述平面层上的凸台构成；覆盖在凸台上表面的N‑GaN层；设置在N‑GaN层部分上表面、N‑GaN层侧壁、凸台侧壁、平面层部分上表面的P型GaN层；设置在N‑GaN层剩余上表面的肖特基电极；设置在平面层剩余上表面的欧姆电极；且P型GaN层与肖特基电极以及欧姆电极均不接触。本发明提供的低漏电GaN肖特基二极管能有效阻止侧壁的漏电通道，从而有效降低反向漏电流。
主权项：1.一种低漏电GaN肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上表面的N+GaN层，所述N+GaN层由一个平面层以及一体设置于所述平面层上的凸台构成；覆盖在所述凸台上表面的N-GaN层；设置在所述N-GaN层部分上表面、所述N-GaN层侧壁、所述凸台侧壁、所述平面层部分上表面的P型GaN层；设置在所述N-GaN层剩余上表面的肖特基电极；设置在所述平面层剩余上表面的欧姆电极；且所述P型GaN层与所述肖特基电极以及欧姆电极均不接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种低漏电GaN肖特基二极管及其制备方法
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